中國のIC特許出願量が増加している。

2009年、國際金融危機は世界半導體市場に大きな影響を與え、中國の集積回路産業も初めてマイナス成長を遂げました。

しかし、國家が戦略的新興産業を大いに発展させている背景において、3 g、移動通信、半導體照明、自動車電子などの新興分野は急速に発展しており、その中で育まれた巨大市場はわが國のic産業に厳しい挑戦の前に発展のチャンスを探させている。

「國家中長期科學技術発展計畫要綱」が確定した01、02の重要特別項目の深度実施と集積回路産業「第12次5カ年」計畫の編成に従って、國內の集積回路産業は新たな発展の高まりを迎えます。

検索したところ、2009年に公開された我が國の設計類特許出願は合計13135件になりました。

マクロ統計分析による特許出願數の経年変化から見ると、2001年から2005年にかけて、全國の集積回路設計類特許出願量は高度成長期に入り、年間成長率は30%以上を維持し、2006年以降徐々に減速している。

特に指摘したいのは、2008年から2009年にかけての曲線の低下は、中國特許の早期公開遅延審査によるものである可能性があるため、特許出願の動向の判定根拠としては使えないということです。

2009年の中國企業の設計類特許出願數が第一位となり、8323件で、當該特許出願の全體の63%を占めている。

アメリカと日本の企業は次いで、第二位と第三位となり、それぞれ1385件と1115件で、合計でこの種の特許出願の総數の19%を占めています。

2005年から2009年までの中國の集積回路設計分野における年間特許出願は全體の半分以上を占め、しかも成長率は35%以上を維持しています。わが國はここ數年來、この分野での研究開発能力と技術成果が高い水準にあると説明しています。

しかし、アメリカ、日本などの技術先進國は依然として中國の特許出願の一定のシェアを占めています。また、ヨーロッパ諸國や韓國なども特許體系の整備や建設に積極的に取り組んでいます。

日本人申請者の占める割合は減少傾向にあり、2008年にはすでにマイナス成長に入っています。

2009年の成長率の低下は、中國特許の早期公開遅延審査によるものかもしれないので、特許出願の動向の判定根拠とすることはできない。

しかし、長期的な傾向から見ると、國內の申請者はこの分野で引き続きリードしています。

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2009年12月31日までに、我が國の集積回路の製造類の特許と実用新案の特許は全部で58642件あります。そのうち、特許出願は55420件で、約94.5%を占めています。実用新案特許は322件で、約5.5%を占めています。

最近5年間、製造分野の國內申請者は數量と品質の面で日本、アメリカなどの先進國を次第に超えています。

2008年はその主要な転換點であり、比率は初めて日本を上回っただけでなく、數量も約40%の増加があった。

原因は2007年の政策刺激にあるかもしれません。

2009年までに、國內の出願人の優位性はさらに強化され、新たに改正された特許法及び実施條例の効力の影響下で、引き続きリードを維持する見込みである。

検索したところ、2009年12月31日現在、我が國の集積回路パッケージ類の発明特許と実用新案特許は21517件で、そのうち特許出願は1857件で、86%を占め、実用新案特許は3016件で、14%を占めています。

中國の集積回路テスト類の特許と実用新案の特許は全部で3295件あります。そのうち、特許出願は2664件で、80.8%を占めています。実用新案特許は631件で、19.2%を占めています。

中國の集積回路パッケージテスト類の特許技術分野の分布をより明確に正確に理解するために、その分布傾向と集中分布點を探索し、國際特許分類（ipc）表の分類體系を參照して、當該分野の特許出願を技術分類した。

集積回路パッケージ試験のようなipc年度分布から見ると、2009年の中國の集積回路パッケージ分野の特許の多くは、h 01 l 21（特に半導體または固體デバイスまたはその部品を製造または処理する方法または裝置に適用される）とh 01 l 23（半導體または他の固體デバイスの部品）のうち、いずれも1500件を超えている。

また、h 01 l 25（複數の単一の半導體または他の固體デバイスからなる組立品）がこのような技術的ホットスポットの一つとなる可能性があると予想される。

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1985年～2009年の間に、我が國の集積回路特許出願數は大きな飛躍を遂げました。

2000年から特許出願の年平均成長率は40%を超え、國內集積回路産業の急速な発展態勢と一致した。

特に、2008年の「國家知的財産戦略綱要」の実施及び2009年の「電子情報産業振興計畫」などの好政策の登場は、新たに改正された特許法及びその実施細則の効力を含み、國內企業の知的財産権に対する重視と利用水準はいずれも新たな高度に達するだろう。

國內外の特許出願の動向から見ると、2009年の最も顕著なのは、icデザインクラスである。

特許の早期公開遅延審査制度及び國際金融危機の影響を受けて特許の総量は減少しましたが、我が國は國外に比べて占める割合は60%まで上昇しました。

また、アメリカ、日本などがマイナス成長を経験した場合、年4%以上の成績をおさめました。

國內のic企業は全世界の不利な狀況の下で更に自主的に革新することを強調すると十分に説明しました。

中國の內需拡大の一連の措置を利用して、価値チェーンを効果的に統合し、知的財産権を最高點にして持続的に発展しています。

技術発展の趨勢から見て、各分野にはある程度の変化が見られた。

パッケージの分野では、特許出願は、h 01 l 21（半導體または固體デバイスまたはその部品の製造または処理に特化した方法または裝置）およびh 01 l 23（半導體または他の固體デバイスの部品）を主な方向とする。

一方、テスト領域では、g 05 f 1（システムの出力端から検出された1つの電力量の1つまたは複數の所定の値に対する偏差量を検出し、システムの1つの裝置にフィードバックして、検出量をその1つまたは複數の所定の値の自動調整システムに回復させる）が、新たな技術発展の方向となる可能性がある。

上記の技術點はパッケージテスト種類の企業の研究開発と販売に參考を提供することができます。

2010年の國內集積回路産業は、世界半導體産業の回復と國內內需市場の持続的な旺盛な二重駆動で大幅な成長を実現すると予測されている。

これに対応して、集積回路は設計分野以外の各方向の特許出願も引き続き上昇傾向にある。

機會と挑戦が共存する複雑な背景の下で、集積回路企業は科學技術の研究開発に対する投入を増やし、自主的創造能力を高め、知的財産権戦略を実施するとともに、知的財産権の品質と利益を重視し、殘酷な國際競爭の中で才能を発揮し、我が國の経済発展方式の転換に支えを提供し、知的財産権の創造、運用、保護と管理水準を高める戦略目標を実現することを助けます。