第三代半導體闖關資本市場

在市場的關注熱潮之下，第三代半導體公司正處在抓住機會資本化的發展階段。近期就不斷有公司發布招股書，但也有公司終止了上市進程。

近日，江西瑞能半導體在一度徘徊著中止上市后決定了終止科創板掛牌計劃，此前還有天科合達終止上市計劃。山東天岳則是在前不久掛出招股書，開始走科創板上市流程，若其此后成功上市，將有望成為碳化硅半導體材料領域的第一股。

雖然其中部分公司終止上市的原因沒有確定性的答案，但通過梳理不難發現，第三代半導體產業處于偏上游端，前期需要背負巨大的資本開支，由此帶來的量產難度和較高成本，也導致處在偏下游端的公司尚沒有走到較大規模出貨的階段。

而第三代半導體產業的火熱，正是與目前市場上需求度較高的5G基站、新能源汽車等領域正在爆發息息相關。

21世紀經濟報道記者近日調研發現，除了目前已經聚焦在第三代半導體產業發展的公司之外，不少來自其他材料領域的公司，也在基于其對化合物半導體材料的研究，探索進入該產業領域。

有半導體材料公司高管告訴21世紀經濟報道記者，第三代半導體材料中，氮化鎵襯底的生長難度更大，而碳化硅的發展路線會更成熟，相關公司也較多。綜合來看，在海外，已有不少大廠在碳化硅市場占據了較大份額，且多是綜合性發展的大廠在推進，這與國內公司的發展路線不甚相同。當然他有信心，隨著未來國內公司的發展步伐加快，這種市場形勢將有所改變。

產品商用尚未大爆發

第三代半導體雖然是近期才火熱起來的概念，但實際上已經悄然發展了多年。

宏觀來看，第三代半導體產業大約可以分為襯底-外延-器件-制造四大環節，其中襯底可理解為晶圓環節，外延是在襯底基礎上成長出合適的材料結構用于后續設計，器件則類似芯片設計。第三代半導體的其中一個難點就在于襯底部分。

前述高管告訴21世紀經濟報道記者，由于氮化鎵襯底生長速率較慢，且大尺寸的氮化鎵單晶生長難度大，才導致目前主要都采用碳化硅材料作為襯底材料。

因此其實在近期，甚至包括今后很長時間，氮化鎵的落地主要是作為外延環節存在。

如目前商用較快的氮化鎵快充產業鏈，主要為硅基作為襯底、生長異質的氮化鎵材料作為外延，以此進行產品設計；而發展很成熟的LED產業，此前也主要是以藍寶石材料作為襯底，采用異質的氮化鎵材料作為外延，再進行相關顯示功能的設計。

相比之下，碳化硅作為襯底，并以同質的碳化硅襯底進行外延生長，再進行產品設計就是相對可行的路線，且目前碳化硅襯底再生長氮化鎵外延進行產品設計也在陸續推進過程中。

如今的資本化潮起，一方面與資本市場平臺對科技類公司的開放性有關，另一方面也是在海內外廠商的共同推動下，相關技術商用已經在加速。

尤其在近兩年間，越來越多產業和投資資本相繼成為這些公司的股東方，比如華為旗下哈勃投資，在2019年左右相繼成為山東天岳和天科合達的股東，設備商中微公司，國家大基金等的身影也在積極閃現這些上游領域。

同時巧合的是，前述這三家企業都主要涉足的是碳化硅材料，其中山東天岳和天科合達為碳化硅襯底環節公司，瑞能半導體則處在器件環節。

至于其中一些公司為何最終選擇了暫時不通過科創板上市，或許可以從其招股書中看到一些端倪。

碳化硅襯底公司天科合達，招股書顯示其收入來源主要包括碳化硅晶片、其他碳化硅產品以及碳化硅單晶生長爐，主要用于產業鏈下游設計環節的產品來自碳化硅晶片部分，其他碳化硅產品方面，其用途一部分可作為生長新碳化硅晶體的“種子”晶片，另一部分則可用于設備測試和制造消費類寶石產品。

招股書顯示，“其他碳化硅產品”項目的收入占據了天科合達自2018年至2020年Q1大約37%-39%的比重，在2017年甚至高達52%，來自“碳化硅晶片”的收入直到2020年Q1才達到超過六成收入貢獻。這也顯示出即便在產業層面，其產品商用進程還并未走到大爆發階段，公司盈利尚且需要來自其他業務的較多支撐，而非專注來自第三代半導體產業的設計應用貢獻。

瑞能半導體則可能主要來自研發投入方面。招股書顯示，在2017-2018年間，該公司的研發投入占營業收入比重不足4%，2019年達到了科創板要求，但在2020年Q1該比重再度下滑到4.9%。

這些細微的經營數據，顯示出第三代半導體產業目前在國內雖面臨著龐大市場，但也還處在階段性發展的道路上。有行業人士曾再三向記者表示，目前資本市場對于這一概念的關注，或許存在熱度過高的情形。

生產成本高是現實瓶頸

綜合觀察這三家主要企業的招股書，也可以大致了解第三代半導體產業的發展路徑和商用進程。尤其是處在襯底環節的公司，其一方面要承載較大資金壓力，同時還要維持對核心研發人員的投入，這條路并不那么容易走。

其中山東天岳是資金壓力較大的公司。招股書顯示，截至2020年12月，公司累計未彌補虧損為-15758.09萬元。考慮到公司計劃在碳化硅材料領域持續投入，或繼續進行股權激勵，可能導致未來一定期間無法盈利。

具體來看，公司在2018-2020年間，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為-4213.96萬元、 -20068.36萬元、-64161.32萬元，面臨較大的虧損表現。

同時公司在此期間的營業收入分別為13613.40萬元、26855.84萬元和42481.19萬元。公司方面解釋，收入逐年增長，凈利潤卻逐年下降，主要系2019年和2020年實施股權激勵所致。

天科合達雖然實現了勉強盈利，但除了前面提到的其他業務收入貢獻較大之外，還有較多的政府資金補助在支持。

公司招股書顯示，在2018年、2019年和2020年Q1三個財務時期，公司獲得的政府補助占同期公司利潤總額的比例分別為534.05%、73.14%和144.75%。橫向來看，其“同行”山東天岳獲得的政府補助金額占同期公司收入比例近些年大約在8%-10%左右。

前述半導體材料公司高管向21世紀經濟報道記者表示，半導體襯底領域在前期發展的確十分困難，其所在公司也曾一度面臨不少高管想放棄繼續“流血”發展的路徑，好不容易挨過了痛苦虧損的日子，但新技術的不斷演進，又要求公司必須持續不斷投入資金研發。

此外，不止于所在的襯底領域，一些半導體材料領域的公司還需要向偏下游的器件領域延伸，親身入局才能做出更符合市場需求的產品。

不過好在，雖然正歷經艱辛發展時期，這些奔赴資本市場的公司已經在行業內取得了不錯的成績。根據國際行業咨詢機構Yole統計，2019年及2020年間，山東天岳已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

橫向對比全球主要廠商，前述主要廠商目前采取的發展路徑也不甚相同。當前在碳化硅市場處于相對領先地位的CREE公司，采取的是涵蓋襯底、外延及器件制作較全面產業鏈的模式，國內正奔赴資本市場的主要公司，則采取的是參與單個產業鏈環節。

在技術先進性方面，國內與海外的差距正在縮小。根據公開信息，CREE公司目前能夠批量供應4英寸至6英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底，已成功研發并開始建設8英寸產品生產線。前述國內公司主要產品是4英寸半絕緣型碳化硅襯底，6英寸相關產品已形成小批量銷售。

綜合來說，在目前階段，第一代硅基半導體材料依然是目前市面上近九成半導體產品的襯底，第三代半導體材料的市場基數還較小。與此同時，當前由于高品質碳化硅襯底生產成本仍然較高，成為制約短期內碳化硅襯底器件大規模應用的掣肘之一。

但長期來看，第三代半導體材料具備的耐高溫、耐高壓、高頻、大功率等特點，將可以承接“新基建”和5G等機遇，將助推產業鏈公司可以有更快發展的預期。